Bourns型BID绝缘栅双极晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-02-17

摘要： igbt具有较低的集电极-发射极饱和电压和较少的开关损耗。

Bourns型号BID绝缘栅双极晶体管(igbt)结合了MOSFET栅和双极晶体管的技术，设计用于高电压/大电流应用。BID型igbt采用先进的沟槽-栅场停止技术，可以更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压，减少开关损耗。igbt的工作温度范围为-55°C至+150°C，可提供to -252、to -247和to - 247n封装。这些热效率组件提供了较低的热阻，使它们适合于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)应用的IGBT解决方案。

特性

BIDD05N60T

600V, 5A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑技术
优化导电
健壮的,- 252包
通过无铅认证

BIDW20N60T

600V, 20A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑技术
优化导电
低开关损耗
- 247包
通过无铅认证

BIDW30N60T

600V, 30A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑技术
优化导电
- 247包
通过无铅认证

BIDW50N65T

600V, 50A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑技术
优化导电
- 247包
通过无铅认证

BIDNW30N60H3

600V, 30A，低集极-发射极饱和电压
Trench-Gate视场光阑技术
低开关损耗
快速切换
- 247 n包
通过无铅认证

应用程序

开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)
逆变器(仅BIDW50N65T)

感应加热(只适用于BIDW30N60T和BIDNW30N60H3)
步进电机(仅适用于BIDW20N60T)

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