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STGAP2SICD用于SiC fet的6kv Iso双栅驱动的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-03-15

摘要: 意法半导体的6kv电隔离双通道门驱动器适用于驱动SO-36宽封装的SiC功率晶体管


STGAP2SICD

意法半导体的STGAP2SiCD是一款6kv的电隔离双通道栅驱动器,采用SO-36宽封装,适用于驱动SiC功率晶体管。它提供了每个门驱动通道和低压控制和接口电路之间的电隔离。STGAP2SiCD提供全套保护和最大的驱动灵活性,利用最新的6kv电隔离技术。


该门驱动器的特点是4a能力和轨对轨输出,使其适合中大功率应用,如电源转换,工业驱动和逆变器,并可支持高达1200 V的高压轨。


在整个温度范围内,dV/dt瞬态抗扰度为±100 V/ns,确保了对电压瞬态的显著鲁棒性。该器件具有独立的接收器和源选项,易于栅极驱动配置,并具有米勒钳功能,防止半桥拓扑中快速换向过程中的栅极尖峰。CMOS/TTL兼容逻辑输入至3.3 V,确保与微控制器和DSP外设的直接接口。


该设备集成了特定的欠压锁定SiC和热关闭保护,轻松设计高可靠性系统。在半桥拓扑中,联锁功能可以防止输出同时过高,避免在逻辑输入命令错误的情况下出现射穿条件。一个专用的配置引脚可以禁用联锁功能,以允许两个通道的独立和并行操作。输入到输出的传播延迟在75 ns以内,提供了精确的PWM控制。待机模式可减少空闲功耗。


特性
  • 高压导轨可达1200v

  • 驱动电流能力:4a汇聚/源在+25°C

  • dV/dt瞬时免疫±100 V/ns

  • 总的输入输出传播延迟:75 ns

  • 独立的接收器和源选项,易于门驱动配置

  • 4铣刀夹

  • SiC专用UVLO功能

  • 可配置的联锁功能

  • 专用SD和制动销

  • 栅极驱动电压高达26v

  • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS输入带迟滞

  • 关闭温度保护

  • 备用功能

  • 6kv电隔离

  • 宽身体SO-36W

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