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摘要： ROHM Semiconductor 600V第4代PrestoMOS 超级结mosfet利用原始专利技术加速寄生二极管，实现超快速反向恢复特性，实现低功耗。
ROHM Semiconductor 600V第4代PrestoMOS 超级结mosfet利用原始专利技术加速寄生二极管，实现超快速反向恢复特性，实现低功耗。与IGBT实现相比，PrestoMOS设计能够在轻负载下减少约58%的功耗损失。此外，提高打开MOSFET所需的参考电压会阻止自开，这是损耗的主要原因之一。优化的内置寄生二极管提高了针对超级结mosfet的软恢复指标，减少了可能导致故障的噪声。
ROHM半导体600V第4代PrestoMOS超级结MOSFET是n通道器件，具有71毫欧到114毫欧的低通电阻，9A到77A的连续漏极电流，和120V/ns的MOSFET dv/dt。这些mosfet可在to - 220fm -3, to - 220ab -3和to -247-3封装类型，具有广泛的-55℃至+150℃工作结和存储温度范围。
超快反向恢复时间(t(rr))
漏源极电压(V(DSS))
9A至77A连续漏极电流(I(D))
-30V， +30V门源电压(V(GSS))
低71毫欧到114毫欧上电阻(R(DS(ON)))
120 v / ns MOSFET dv / dt
快速切换
61W到781W的功耗(P(D))
-55℃至+150℃工作结和储存温度范围(T(J)， T(stg))
TO-220FM-3, TO-220AB-3和TO-247-3封装选项
无铅，符合RoHS标准
切换应用程序
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