摘要: Nexperia的NextPower mosfet非常适合电力供应、电信和工业设计
Nexperia的NextPower 80 V/100 V mosfet提供50%的低R(DS(on))和强大的雪崩能量评级(E(as)),用于高效率开关和高可靠性应用。这些mosfet非常适合电源,电信和工业设计,特别是USB电源传输(PD)和USB Type-C 充电器和适配器和48 V(DC)/V(DC)适配器。该器件具有低体二极管损耗,Q(rr)降至50纳库仑(nC),导致更低的反向恢复电流(I(rr)),更低的电压峰值(V(peak)),并减少了铃响,这允许进一步优化的死区时间。
低Q(rr)用于高效率和低峰值
用于高效开关应用的低Q(G) × R(DS(on)) FoM
优化体二极管V(SD) = 1v (max)
强E(as)和100%测试
满足T(j)(max) = +175°C,符合IPC9592
无ha和符合RoHS标准的LFPAK56包装
Wave-solderable LFPAK56包
用于热插拔和PoE的应用专用fet (asfet),包括PSMN4R8-100YSE
80v和100v组合在LFPAK56和LFPAK56E封装
全桥和半桥拓扑
电机控制
UPS和太阳能逆变器
热插拔和软启动
反激和谐振拓扑中的同步整流器
AC/DC和DC/DC转换器
LED照明
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