摘要: 意法半导体的单边开关是M0T5 VIPower技术的单片架构
意法半导体的IPS1025H, IPS1025H-32和IPS1025HF是M0T5 VIPower技术的单片架构,并组装在PowerSSO-24封装中。ic是单一高侧开关设备,可以驱动电容性、电阻性或感性负载,其中一侧连接到地面(高侧开关)。工作电压建议在8v ~ 60v之间,但电源引脚上的击穿电压可达65v。
IPS1025H和IPS1025H-32设备之间的区别是当所有剩余电参数相等时的限流保护内部设置。输出级为n通道功率MOSFET,典型R(DS(ON))在环境温度下为12.5 毫欧,内部限制为IPS1025H的最小输出电流为2.5 a, IPS1025H-32的最小输出电流为5.7 a。
该集成电路设置了两种不同的电流限制水平(ILIMH-X和ILIML-X),用于智能驱动负载(如灯泡)和初始峰值电流要求为电容负载的负载。具有两对电流限制阈值和电平的嵌入式保护(IPKH,每DPK时间的ILIMH和IPKL, ILIML)和集成诊断是实现具有初始峰值电流要求负载的功能鲁棒机械的合适设备。
用于STM32 Nucleo的X-NUCLEO-OUT05A1工业数字输出扩展板提供了一个强大而灵活的环境,用于评估数字输出模块中连接到2.5 a(最大)工业负载的IPS1025H(单高侧智能功率固态继电器)的驱动和诊断能力。用于STM32 Nucleo的X-NUCLEO-OUT06A1工业数字输出扩展板提供了一个强大而灵活的环境,用于评估数字输出模块连接到5.7 a(最大)工业负载的IPS1025H-32(单高侧智能电源固态继电器)的驱动和诊断能力。
工作电压范围为8v ~ 60v
R(DS(ON)) 12 毫欧 (typ。在+ 25°C)
容性负载智能驱动
可编程电流限制值:2.5 A (IPS1025H)/5.7 A (IPS1025H-32)
感应负载快速消磁
过载和过温保护
情况下超温保护
地面断开保护
V (CC)断开保护
欠压锁定
过载或过温事件的故障信号
符合IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5
小包装PowerSSO-24在QFN48L 8毫米x 6毫米x 0.9毫米
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