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摘要： 意法半导体的MOSFET采用stripet F8沟槽MOSFET技术制造
STMicroelectronics的STL320N4LF8和STL325N4LF8AG是第一个使用stripet F8沟槽MOSFET技术制造的器件，完全符合工业级标准。通过降低通阻和开关损耗，同时优化体漏二极管性能，40v MOSFET节约能源，并确保功率转换和电机控制电路中的低噪声。
优异的体漏二极管柔软性
低的输出电容和串联电阻
低gate-drain电荷
栅极阈值电压分布紧
非常高的电流能力
好处
低EMI噪声排放
关断时漏源极电压峰值低，振荡时间短
关闭速度快，开关损耗低
简单的并联
短路强度高
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