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摘要： UnitedSiC的第4代750 V SiC fet行业最佳的“优点数字”，用于软和硬开关电源应用
基于独特的级联码配置，UnitedSiC的UJ4C/SC第4代SiC FET系列额定电压为750 V，有6 毫欧到60 毫欧选项。这些设备提供了优异的性能数据，降低了传导损耗，在更高的速度下提高了效率，同时提高了总体成本效益。在给定的R(DS(on))下，开关性能和Q(rr)得到改善，E(on)和E(off)损失也得到改善。此外，降低E(oss)和C(oss)的水平带来较低的总损失。这些设备可以在标准的0 V到12 V或15 V栅极驱动电压下安全驱动。良好的阈值噪声裕度保持在真正的5 V阈值电压，和前几代一样，这些SiC fet可以在所有典型的Si IGBT, Si MOSFET和SiC MOSFET驱动电压下工作。它们还包括一个内置的ESD栅极保护钳。许多设备都符合AEC-Q101标准。
低R(DS(on))从6 毫欧到60 毫欧
关键数字的优点使下一代，高性能的电源设计
优秀的R(DS(on)) x区域
在给定的R(DS(on))下改善Q(rr)和E(on)/E(off)损失
同时减少C(oss(er))/E(oss)和C(oss(tr))
短路耐受时间6 毫欧。
5 V V V(TH)，±20 V V V(GS(max))， ESD保护
标准(0v到12v)或SiC场效应晶体管门驱动器(双极)
优秀的反向恢复
低体二极管
门费用低
TO247-3L、TO247-4L和D2PAK-7L工业标准软件包
许多设备都符合AEC-Q101标准
汽车:牵引逆变器;车载充电器;直流/直流转换器
IT基础设施:PFC;直流/直流转换器
可再生能源:太阳能逆变器;能量储存
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