东芝的第三代650v和1200v碳化硅(SiC) mosfet是专为大功率工业应用，如400v和800v (AC)输入AC/DC电源，光伏(PV)逆变器，双向DC/DC转换器的不间断电源(UPS)。

这些mosfet有助于降低功耗和提高功率密度，这是由于SiC技术允许设备提供更高的电压电阻，更快的开关和更低的接通电阻。 东芝的第三代芯片设计提供了更高的可靠性。650v产品的输入电容(C(ISS))为4850 pF(类型)，低栅输入电荷(Q(g))为128 nC(类型)，漏源通电阻(R(DS(ON))仅为15毫欧(类型)。

此外，1200 V产品提供同样低的输入电容(C(ISS))为6000 pF(类型)，门输入电荷(Q(g))为158 nC(类型)，漏源通电阻(R(DS(ON))为15 毫欧(类型)。650 V和1200 V SiC mosfet都提供工业标准的三引脚TO-247封装。