台积电的PerFET系列单通道和双通道40v功率mosfet基于专有的器件结构和工艺，可实现极低的通电电阻(R(DS(on))和开关性能图(FOM)。PerFET设备实现了50%的R(DS(ON))和40%的FOM减少，使该组合处于行业性能的领先地位。40 V n通道PerFET平台包括标准(10 V)和逻辑电平(5 V)门驱动要求的选项，同时在开关应用中发生开关电压瞬变和雪崩时保持坚固的安全工作区裕量。

特性

• 降低50%的R(DS(ON)):更低的功率损耗

• 40% FOM改进:改进开关性能

• 可湿面引线:提高焊点可靠性和自动光学检测(AOI)

• 单通道和双通道包

• 100% UIS和R(g)测试

• AEC-Q汽车合格:+175°C T(j(max))强制用于汽车和工业应用;有生产零件批准程序(PPAP)文件

• 符合全球材料标准:符合RoHS标准，无卤素(根据IEC-61249-2-21)， WEEE, REACH，加州Prop. 65, jsd -201 Class 2晶须测试等