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摘要： 高速、低引脚数、低功率自刷新DRAM，具有HyperBUS或Octal xSPI接口。
Infineon Technologies S80KS2562和S80KS2563 HyperRAM 2.0内存是高速、低针数、低功率自刷新动态RAM (DRAM)，具有HyperBUS (S80KS2562)或Octal xSPI (S80KS2563)接口。这两种设备都具有200MHz的最大时钟速率，高达400MBps的数据吞吐量，以及节能的混合休眠和深度下电模式。S80KS2562和S80KS2563 HyperRAM非常适合在高性能嵌入式系统中使用，这些系统需要扩展内存以用于临时存储或缓冲。
HyperRAM产品支持的HyperBus和Octal xSPI接口利用了并行和串行接口存储器的传统特性，同时提高了系统性能，简化了设计，降低了系统成本。低引脚数的架构使得HyperRAM特别适用于需要芯片外外部RAM的电源和板空间受限的应用。英飞凌S80KS2562和S80KS2563 256Mb HyperRAM内存可在24球细间距球网格阵列(FBGA)包中使用。
技术:25 nm DRAM
接口
在所有事务开始时的输出，以指示刷新延迟
读事务期间的输出作为读数据频闪
写事务期间的输入作为写数据掩码
具有11个总线信号的单端时钟(CK)
可选差分时钟(CK, CK#)， 12总线信号
S80KS2562: HyperBUS 接口
S80KS2563: xSPI(八进制)接口
1.8 v接口支持
芯片选择(CS #)
8位数据总线(DQ[7:0])
硬件复位(复位#)
双向读写数据闸门(RWDS)
数组刷新
部分内存数组
完整的
权力
22mA/25mA突发读写电流消耗
混合睡眠模式
深度断电模式
性能
线性破裂
包装破裂长度
混合选项-一个缠绕的爆发之后是线性爆发
16字节(8个时钟)
32字节(16个时钟)
64字节(32个时钟)
128字节(64个时钟)
200MHz最大时钟速率
最大访问时间35ns
DDR -在时钟的两端传输数据
数据吞吐量高达400MBps (3200Mbps)
可配置的破裂特征
可配置输出驱动强度
包
6.0mm x 8.0mm FBGA-24封装，1.0mm间距
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