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摘要： 具有红外LED光耦合到集成的高增益，高速光电探测器IC芯片。
东芝TLP570xH IGBT和MOSFET隔离门驱动器是6针SO6L封装的光耦合器。该设备具有红外LED光耦合到集成的高增益、高速光电探测器IC芯片。该驱动器在高达125°C的温度下提供有保证的性能和规格。TLP570xH比以前的8针DIP封装设备更小更薄。驱动器符合加强绝缘的国际安全标准。TLP570xH驱动器是中小型igbt和功率MOSFET门驱动器的理想选择。
缓冲逻辑类型(图腾柱输出)
±5.0A(最大)输出峰值电流
-40至125°C的工作温度
3.0mA(最大)电源电流
电源电压15 ~ 30V
5mA(最大)阈值输入电流
tpHL/tpLH = 200ns(最大)传播延迟时间
±50kV/µs (min)共模瞬态免疫
5000 Vrms (min)隔离电压
安全标准
UL认可，UL 1577，文件编号E67349
ul认可，CSA部件验收服务编号5a文件编号E67349
vde认证，EN 60747-5-5, EN 62368-1(注1)
cqc认证，GB4943.1, GB8898日本工厂认证
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