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摘要： Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4在命令/地址(CA)总线上提供单模包(SDP)或双模包(DDP)和2或4个时钟架构。
单模包(SDP)提供16Mb x 16DQ x 8-bank x 1通道，2Gb(2,147,483,648位)密度。双模包(DDP)提供16Mb x 16DQ x 8银行x 2通道，4Gb(4,294,967,296位)密度。
VDD1 = 1.7V至1.95V
VDD2/VDDQ = 1.06V至1.17V
数据宽度x16/x32
时钟速率高达2133MHz
数据速率高达4267Mbps
8个内部银行并行操作
16 n预取操作
LVSTL_11接口
爆发长度16、32，飞行中16或32
顺序破裂类型
可编程的驱动力量
编码的命令输入在双时钟边缘
CA总线上的单数据速率架构
双数据速率结构的DQ引脚
微分时钟输入
双向差分数据频闪
输入时钟停止和频率变化
On-die终止(ODT)
写水准的支持
可编程读写延迟(RL/WL)
CA培训支持
DQ-DQS培训
刷新功能:
自动刷新(每个银行/所有银行)
局部数组self-refresh
自动温度补偿self-refresh
发布包维修
目标行刷新模式
用于快速频率切换的频率设置点
支持写掩码和数据总线反转(DBI)
支持边界扫描连通性测试
WFBGA 200球(10mm x 14.5mm2)包装
-40℃≤TCASE≤105℃工作温度范围
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