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SSM10N954L 12v共漏n沟道MOSFET电池保护的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-02-02

摘要: 东芝的SSM10N954L 12 V低通阻共漏mosfet有助于电池驱动的设备。




东芝公司的SSM10N954L是一款12 V共漏n通道MOSFET,设计用于用于移动设备和其他设备的锂离子电池组的电池保护电路。锂离子电池组采用高鲁棒性保护电路,以提高安全性。这些电池在充电/放电过程中需要减少发热,因此需要低功耗和高密度安装的保护电路。东芝提供了薄mosfet低电阻,以满足这些需求。与之前发布的SSM6N951L类似,该产品使用了先进的微工艺来进一步降低其通阻,这有助于它提供低功率损耗。另一个特点是由于来自栅极的低泄漏电流(低栅源泄漏电流),待机功耗低,这有助于电池工作更长时间。SSM10N954L封装在tcpac -153001 (1.49 mm x 2.98 mm, t: 0.11 mm(型号))中。


  • 参数列


  • 框图



特性
  • 低通电阻:R(SS(on))=2.2 毫欧(典型)在V(GS)=3.8 V

  • 低栅源漏电流:在V(GS)=±8 V时I(GSS)=±1 μA (max)

  • tcpac -153001封装:1.49 mm × 2.98 mm, t: 0.11 mm(型号)

  • 共漏结构,可以很容易地用于电池保护电路

应用程序
  • 带有锂离子电池组的设备

  • 办公和个人设备,如智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备等。

  • 消费电子设备,如游戏机、电动牙刷、紧凑型数码相机、数码单反相机等。

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