摘要: 采用3D NAND技术架构,为全闪存阵列提供优化的性能和容量。
Solidigm D7-P5510 ssd(前身为英特尔)采用144层、TLC、英特尔3D NAND技术进行架构,为全闪存阵列提供了优化的性能和容量。D7-P5510 ssd硬盘旨在提高IT效率和数据安全性。
Solidigm D7-P5510 ssd硬盘包括英特尔PCIe 4.0控制器和固件,采用低延迟、增强的管理能力、可伸缩性和企业和云环境的关键NVMe特性。
D7-P5510有U.2 15mm的外形,写续航能力为3.84TB和7.68TB,每天可写1个驱动器。
固件增强
英特尔SSD D7-P5510包括许多固件增强,专门设计用于在日益以数据为中心的世界中提高IT效率和数据安全性。
扩展的LBA格式支持为宿主软件传递元数据和保护信息以及负载数据提供了灵活性
Intel SSD D7-P5510支持扇区大小为512/520/4096/4104/4160B的VSS
分散收集列表(SGL)通过消除主机数据对齐的需要来提高性能
增强SMART监控,使用带内机制和带外访问在不中断I/O数据流的情况下报告驱动器运行状况
通过确保设备按预期运行,设备自检提高了客户体验
遥测技术使广泛的存储数据可访问,包括智能错误跟踪和日志
支持TCG Opal 2.0、可配置命名空间锁定、消毒和格式化NVM等其他安全特性
内置自检的电源即将丢失(PLI)保护方案,在系统电源突然丢失时防止数据丢失
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