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TE连接性/霍尔斯沃西RA73 Al2N3薄膜精密电阻的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-05-30

摘要: TE Connectivity / Holsworthy RA73氮化铝(Al2N3)薄膜精密电阻是高稳定性的芯片电阻,提供非常高的功率尺寸比(高达1W的0805尺寸)。

TE Connectivity / Holsworthy RA73氮化铝(Al2N3)薄膜精密电阻是高稳定性的芯片电阻,提供非常高的功率尺寸比(高达1W的0805尺寸)。RA73电阻的电阻温度系数(TCR)低至25ppm/°C,电阻公差为0.1%。标准值在IEC 63 E96和E24值网格内。RA73氮化铝薄膜精密电阻具有精确和均匀的物理尺寸,便于自动放置方法。


特性

  • 高导热率氮化铝基板

  • 高power-to-size比率

  • TCR为25ppm,公差为0.1%的薄膜精密电阻

  • 在E24和E96值网格内的电阻可用性

  • 适用于回流焊和波峰焊

  • 0603和0805的箱子尺寸

  • 通过无铅认证


应用程序

  • 自动化控制器

  • 机器人

  • 户外LED照明

  • 汽车

  • 电力供应

  • 电源转换装置

  • 刹车系统


规范

  • 16.2欧姆到30.1k欧姆阻力范围

  • 0.1%到1%的公差

  • 25ppm/°C或50ppm/°C温度系数

  • -55°C至+155°C的工作温度范围

  • 1/2W或1W的额定功率

  • 工作电压可选75V或100V

  • 最大过载电压150V或200V

  • 大于9999毫欧最小绝缘电阻

  • 1%的稳定

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