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摘要： 超低功耗，高密度，非易失性存储器非常适合移动和可穿戴设计。
意法半导体M95P32超低功耗32Mbit SPI Page EEPROM为移动和可穿戴设计进行了优化。M95P32 32Mbit SPI Page EEPROM具有丰富的特性集、超低功耗和高内存密度。该设备将专利e-STM 40nm非易失性存储器(NVM)单元技术与智能页面架构相结合，为固件带来了高内存密度、字节灵活性和简化数据日志的高持久性的好处。M95P3还具有快速读取、擦除和程序周期的特点，通过支持快速上传和下载，减少了制造成本和应用程序停机时间。快速开机和四输出读取允许更快的应用程序唤醒。
M95P32 EEPROM提供最多512字节的字节和页写指令。写指令由自定时自动擦除和程序操作组成，从而实现了灵活的数据字节管理。设备还接受页/块/扇区/芯片擦除命令来将内存设置为擦除状态。然后可以使用512字节的页面对内存进行快速编程，并使用“带有缓冲区负载的页面程序”进一步优化以隐藏SPI通信延迟。
一款专为超低功耗、高效数据记录和快速固件上传/下载而设计的一体化内存，STMicroelectronics M95P32 32Mbit SPI Page EEPROM简化了NVM集成，降低了BOM成本，并提高了电源效率。
SPI接口
50MHz读取单输出
80MHz快速读取单/双/四输出与一个哑字节
-40°C到+85°C的工业
-40°C扩展到+105°C
V(CC)从1.6V到3.6V
支持串行外围接口(SPI)和双/四输出
宽电压范围:
温度范围
快速阅读
内存
100年
500kcycles后10年
全温度范围500kcycles
64Kbyte块，4kbyte扇区
512字节的页面大小
两个识别页面
32兆位的页EEPROM
写的耐力
数据保留
超低功耗
深度断电模式下6μA(典型)
16μA(典型)，待机模式
800μA(典型)用于10MHz的单读
2mA(通常)用于写页面
电流峰值控制小于3mA
高write-erase性能
2ms(典型)用于512字节的字节和页写(包括自动擦除和程序)
2毫秒(典型)用于页面程序(512字节)
9ms(典型)用于页面擦除
1ms(典型)用于扇区擦除
7ms(典型)用于块擦除
15毫秒(典型)用于芯片擦除
快写/食物/擦除时间:
页程序与缓冲区加载
先进的功能
高内存可靠性的ECC (DEC, TED)
用于噪声滤波的施密特触发输入
输出缓冲器可编程强度
ISO26262的运行状态标志
软件复位
按块写保护，有顶部/底部选项
按要求提供唯一ID
电子标识
支持串行闪存发现参数(SFDP)模式
JEDEC标准制造商标识
包选项
DFN8、SO8N和WLCSP8 ECOPACK2包
无卤，符合RoHS标准
防静电保护
200V HBM(人体模型)
500 v清洁发展机制
工业物联网模块
穿戴
医疗保健
医疗
电子崖边标签
智能电表
5 g光纤模块。
数据表
页面EEPROM -向后推串行EEPROM的限制
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