摘要: 具有内部自举二极管的高频门驱动器,能够驱动n通道mosfet。
二极管DGD0579U高侧和低侧门驱动器是一种高频门驱动器,具有内部自引导二极管,能够在半桥配置中驱动n通道mosfet。在引导配置中,浮动高侧驱动器额定可达100V。DGD0579U逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(低至3.3V),轻松与mcu接口。高侧和低侧的UVLO将保护mosfet,使其不受供电损失的影响。交叉传导预防逻辑也通过防止HO和LO同时接通来保护mosfet。快速和良好匹配的传播延迟允许更高的开关频率,实现更小、更紧凑的功率开关设计,使用更小的相关组件。内部引导二极管包括最小化空间,二极管公司。DGD0579U在W-DFN3030-10封装中提供,工作在扩展的-40°C到+125°C的温度范围内。
100V浮动高侧驱动器
驱动两个n通道mosfet在半桥配置
5A源/ 2.5A汇聚输出电流能力
内部自举二极管
高侧和低侧驱动器的欠压锁定
延迟匹配最大10ns
典型的传播延迟为60ns
逻辑输入(HIN, LIN, EN) 3.3V能力
超低待机电流(小于1 μ A)
-40°C至+125°C的扩展温度范围
完全无铅,符合RoHS标准
无卤、无锑“绿色”装置
直流-直流转换器
电机控制
电池驱动的手工具
D类功率放大器
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