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TOSHIBA 东芝 TPH9R00CQH

东芝TPH9R00CQH硅n沟道MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-05-31

摘要： 东芝TPH9R00CQH硅n沟道MOSFET提供了小输出和门电荷的高速开关。TPH9R00CQH支持SOP-8封装，工作温度可达175℃。

东芝TPH9R00CQH硅n沟道MOSFET

东芝TPH9R00CQH硅n沟道MOSFET提供了小输出和门电荷的高速开关。TPH9R00CQH支持SOP-8封装，工作温度可达175℃。该器件提供了低漏源通电阻(7.3毫欧)，低泄漏电流(10µa)， 3.3V到4.3V增强模式。东芝TPH9R00CQH硅n通道MOSFET是高效，直流-直流转换器，开关稳压器和电机驱动应用的理想选择。

特性

高速开关
Q(SW) = 11.7nC (typp .)小门电荷
Q(oss) = 87nC (typ.)小输出充电

R(DS(ON)) = 7.3毫欧 (typ.) (V(GS) = 10V)漏源通电阻低
I(DSS) = 10µA (max) (V(DS) = 150V)低漏电流
V(th) = 3.3V ~ 4.3V (V(DS) = 10V, I(D) = 1.0mA)增强模式

应用程序

高效的
直流-直流转换器

开关稳压器
电机驱动程序

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