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摘要： Qorvo QPD2160D 1600 μ m离散GaAs pHEMT(伪晶高电子迁移率晶体管)具有直流至20GHz的工作频率。
Qorvo QPD2160D 1600 μ m离散GaAs pHEMT(伪晶高电子迁移率晶体管)具有直流至20GHz的工作频率。QPD2160D通常在P1dB时提供32.5dBm输出功率，增益10.4dB，在1dB压缩时提供63%的功率增加效率。这种性能使QPD2160D适合于高效率的应用。
QPD2160D采用0.25 μ m功率的pHEMT生产工艺设计。该工艺具有先进的技术，以优化微波功率和效率在高漏偏操作条件下。
Qorvo QPD2160D GaAs pHEMT提供0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸模。该装置具有氮化硅保护涂层，具有高的环境鲁棒性和防刮性。
直流到20GHz的频率范围
32.5dBm典型输出功率P1dB
10.4dB典型增益在12GHz
63%典型PAE在12GHz
1dB典型噪声因子在12GHz
8 v漏极电压
258毫安漏极电流
0.25 μ m GaAs pHEMT工艺
0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸模
无卤、无铅、符合RoHS标准
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