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摘要： aec - q101 -符合80V, 270A n通道增强模式MOSFET PowerDI 1012-8 (TOLL)封装。
二极管公司DMTH8001STLW汽车增强型MOSFET是一种n通道MOSFET，具有低通阻(1.1毫欧典型，1.7毫欧最大 )和优越的开关性能。DMTH8001STLW漏源电压为80V，漏极电流为1µa，漏极电流为零，漏极电流为±100nA。该装置符合AEC-Q101标准，由PPAP支持，并为汽车应用优化。
二极管合并DMTH8001STLW增强模式MOSFET提供了热效率和紧凑的PowerDI 1012-8 (TOLL)包。设计处理电流高达300A, TOLL包占用PCB面积比工业标准TO263少20%。TOLL封装的板外轮廓为2.4mm，非常适合紧凑和高密度的设计。TOLL的低封装电感提供了改进的EMI性能，镀锡槽引线确保自动光学检测(AOI)的需求得到满足。
额定到+175°C，使它成为高环境温度环境的理想选择
生产中的100%无夹紧感应开关(UIS)测试确保了更可靠和健壮的终端应用
高转换效率
低R(DS(ON))使通态损耗最小化
可湿侧翼改进光学检查
无铅完成;通过无铅认证
无卤、无锑“绿色”装置
DMTH8001STLWQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该部件通过AEC-Q101认证，PPAP能力，并在IATF 16949认证设施生产。
电机控制
直流-直流转换器
电源管理
漏源极电压(V(DSS))
1.7毫欧漏源通电阻(R(DS(ON)))
1µA零栅电压漏极电流(I(DSS))
±100nA门源泄漏(I(GSS))
2V至4V栅极阈值电压(V(GS(TH)))
±20V栅源电压(V(GSS))
连续漏极电流(I(D))
(T (C) = 270 + 25°C)
(T (C) = 150 + 100°C)
反向恢复时间(t(RR))
291nC反向回收费用(Q(RR))
-55°C至+175°C结工作温度范围(T(J))
例:POWERDI1012-8(人数)
UL可燃性分类等级:94V-0
湿度敏感性:根据J-STD-020标准为1级
端子:在铜引线框架表面退火哑光锡
可焊符合MIL-STD-202，方法208
重量:388克(近似)
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