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摘要： 支持高电流密度，嵌入式前进，低ON电阻。
SanRex FMG50AQ120N6 SiC MOSFET支持高电流密度，嵌入式前进，低ON电阻。该器件集成了SiC MOSFET芯片，内置回流二极管功能，这有助于减少不必要的电感。FMG50AQ120N6 SiC Mosfet通过采用高性能的4针结构实现了高速开关和低损耗。FMG50AQ120N6 Mosfet的典型应用包括工业逆变器，DC-DC转换器，电动汽车电池充电器和谐振电源。
R(th(j-c))=0.22°C/W典型的隔离包装，散热良好
4引脚结构减少了电感对源引脚的影响，从而实现更快的开关和减少能量损失
15毫欧典型的T(j)=150°C业界领先的ON电阻
即使在高温操作时，接通电阻变化不大，也能减少能量损失
V(GS(th)): 4.0V典型的栅特性，在频率运行时提供高抗噪性
低R(DS(on))由于最大化的包装空间
工业逆变器
不间断电源系统(UPS)
电动汽车电池充电器
各种开关模式电源
1200 v耐压
50A电流容量(V(GS)=20V, T(c)=108℃，DC)
-40°C至150°C的工作结温度范围
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