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摘要： 薄芯片技术，低VF，增强的浪涌和雪崩鲁棒性，和优越的FOM。
GeneSiC Semiconductor第4代SiC肖特基MPS (merge - pin -Schottky)二极管提供卓越的性价比指数，行业领先的浪涌电流和雪崩鲁棒性，以及高质量，在高频开关中提供高水平的效率和系统可靠性。
GeneSiC半导体第4代SiC肖特基MPS 二极管提供行业标准SOT-227, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3, TO-252-2和TO-263-7封装，最高工作温度为175℃。
低二极管正向电压(V(F))薄芯片技术
最优性价比
最高品质数字- Q(C) xv (F)
增强浪涌电流能力
100%雪崩测试
较低的热阻用于冷却器操作
温度独立快速切换
V(F)的正温度系数
功率因数校正(PFC)中的Boost二极管
太阳能逆变器
不间断电源(UPS)
电池充电器
逆变器中的自由和反并联二极管
马达驱动器
开关模式电源(SMPS)
AC-DC转换器和DC-DC转换器
LED和HID照明
工业电源
电动汽车快速充电器
运输
脉冲功率
包装选项:TO-252-2, TO-263-7, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3, SOT-227
650V、1200V、1700V重复反向电压(V(RRM))
2A至300A正向电流(I(F))
-55°C至+175°C工作温度范围(T(J))
低结电容(C)和低电容电荷(Q(C))
没有反向恢复，没有正向恢复
易于平行，无热失控
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