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摘要： 具有高速开关，用于门驱动的驱动源引脚和可靠的体二极管。
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET提供更低的电容和更高的系统效率。GP2T080A120H具有高速开关、用于门驱动的驱动源引脚和可靠的体二极管的特点。GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET部件的测试强度超过1400V，雪崩测试强度为200mJ。此外，GP2T080A120H易于并行并提供较低的Qg。该设备是太阳能逆变器，电动汽车充电站，感应加热和焊接，以及电机驱动器的理想选择。
高速开关
可靠的体二极管
所有零件的测试电压都在1400V以上
雪崩测试到200mJ
用于门驱动的驱动源引脚
由于缺口设计，漏电增加
太阳能逆变器
开关模式电源，UPS
感应加热与焊接
电动汽车充电站
高压DC/DC转换器
马达驱动器
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