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摘要： SiC技术用于高效率、高速的设计。
东芝第三代碳化硅mosfet设计为高功率工业应用，如400V交流输入交直流电源。其他应用包括光伏(PV)逆变器和双向DC-DC转换器的不间断电源(UPS)。这些mosfet有助于降低功耗和提高功率密度。这是由于SiC技术允许设备提供更高的电压，更快的开关和更低的接通电阻。东芝的第三代芯片设计除了提供4850pF(典型)的输入电容(C(ISS))， 128nC(典型)的低栅输入电荷(Q(g))和仅15毫欧或30毫欧(典型)的漏源通电阻(R(DS(ON))之外，还提供了增强的可靠性。
VF低
内置肖特基势垒二极管技术，提供超低V(F)
高可靠性的电池设计
低(上)、R(上)问(gd)
Ron*Qgd从东芝第二代到第三代减少了80%
具有竞争力的Ron*Qgd和开关性能
更广泛的V (GSS)评级
宽V(GSS)评级有助于提高设计可靠性，使设计更容易
VGSS -10V ~ 25V(推荐18V)
低的接通电阻和较高的栅极阈值电压(V(th))有助于防止意外接通等故障
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AC-DC和DC-DC转换器
功率因数校正电路
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