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Mikroe MRAM 3单击的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-06-16

摘要： Mikroe MRAM 3单击MRAM 3单击代表磁电阻随机访问存储器解决方案。

Mikroe MRAM 3单击MRAM 3单击代表磁电阻随机访问存储器解决方案。该板采用Avalanche Technology AS3001204 1Mb高性能串行SPI MRAM存储器，组织为128K字，每个字8位。MRAM技术类似于Flash技术，具有与SRAM兼容的读/写计时(Persistent SRAM, P-SRAM)，其中数据总是非易失性的。它还具有硬件写保护功能，并执行读写操作，数据保留100万年，写耐力为1014个周期。

特性

车载模块

雪崩技术AS3001204- 1Mb MRAM内存

几乎无限的耐力和数据
基于硬件/软件的数据保护机制
低功耗
SPI / QSPI接口

QSPI, SPI接口
mikroBUS兼容性
S (28.6mm x 25.4mm)点击板尺寸
3.3 v的输入电压

应用程序

数据存储和检索，而不会产生明显的延迟

概述

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