二极管采用DMN52D0LT n通道增强模式MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-13

摘要： 旨在最大限度地减少RDS(ON)并保持令人印象深刻的开关性能。

二极管合并DMN52D0LT n通道增强模式MOSFET旨在最大限度地降低R(DS(ON))并保持令人印象深刻的开关性能。这种MOSFET具有极低的栅极阈值电压，低输入电容，快速开关速度和ESD保护栅极。DMN52D0LT MOSFET具有低输入/输出泄漏，并符合AEC-Q100/101/104/200标准，具有PPAP能力。这种MOSFET是无铅的，符合RoHS标准，在-55°C至150°C的温度范围内工作。典型的应用包括电机驱动、电源管理功能和负载切换。

特性

低导通电阻
极低的门阀电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏

防静电栅
无铅
通过无铅认证
不含卤素和锑

规范

50V(DSS)漏源极电压
±12V(GSS)门源电压
1.2A脉冲漏极电流
350mA最大连续体二极管正向电流
-55℃~ 150℃工作温度范围

包:

SOT523

UL易燃等级94V-0
重量:

0.002克

应用程序

汽车驾驶
电源管理功能
负荷开关

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