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摘要： dram具有低功耗的高速选项。
金士顿DDR4 dram具有低功耗的高速选项。512M x 16 dram提供8Gb容量和双数据速率架构。该器件支持省电模式，齿轮下降模式和动态模上终止。金士顿DDR4 dram专为96球FBGA封装中的嵌入式应用而设计。
双数据速率架构，每个时钟周期两次数据传输
采用8位预读流水线架构实现了数据的高速传输
双向差分数据频闪(DQS和/DQS)与数据一起发送/接收，用于在接收端捕获数据
DQS与用于读的数据边对齐，与用于写的数据中心对齐
差分时钟输入(CK_t和CK_c)
DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐
数据掩码(DM)在数据频闪的上升沿和下降沿写入数据
支持CRC (Write Cycle Redundancy Code)
支持可编程的读/写序文
可编程的爆发长度4/8与啃顺序和交织模式
BL开关在飞行
驱动器强度由MRS选择
支持动态模终止
支持异步RESET引脚
两种终止状态，如RTT_PARK和RTT_NOM，可通过ODT引脚切换
支持ZQ校准
支持写分级
内部Vref DQ级别生成可用
支持TCAR(温控自动刷新)模式
支持LP ASR (Low Power Auto Self Refresh)模式
CA (Command Address)支持命令/地址校验方式
每DRAM寻址能力(PDA)
支持细粒度刷新
支持减速模式(1/2速率，1/4速率)
支持Self Refresh Abort
支持最大省电模式
应用了“Banks分组”，对于相同或不同的bank组访问的bank，可以使用“CAS to CAS时延(tCCD_L, tCCD_S)”
DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能
通过无铅认证
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