摘要: 二极管集成DMTH15H017LPSWQ n通道增强模式MOSFET旨在最小化R(DS(ON))并保持令人印象深刻的开关性能。
二极管集成DMTH15H017LPSWQ n通道增强模式MOSFET旨在最小化R(DS(ON))并保持令人印象深刻的开关性能。这种MOSFET具有高转换效率和100%的无箝位感应开关(UIS)生产测试,确保可靠和稳健的终端应用。DMTH15H017LPSWQ MOSFET具有快速的开关速度和低输入电容。这种MOSFET是无铅的,符合rohs标准,并支持生产部件批准流程(PPAP)。典型应用包括同步整流、电源开关和D类音频放大器。
额定温度175°C:
适用于高温环境
转换效率高
AEC-Q101合格
PPAP能力
低R (DS ):
最小化ON-state损失
100%无箝位感应开关(UIS)生产测试:
确保更可靠和健壮的终端应用
小于1.1mm的包装外形:
适用于薄型应用
低输入电容
切换速度快
无铅完成
通过无铅认证
不含卤素和锑
150V(DSS)漏源电压
±20V(GSS)门源电压
200A脉冲漏极电流
50A最大连续体二极管正向电流
-55℃~ 175℃工作温度范围
包:
PowerDI5060-8
UL易燃等级94V-0
重量:
0.097克
同步整流
电源转换装置
D类音频放大器
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