二极管合并DMN3732UFB4 n通道增强模式MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-06

摘要： 旨在最大限度地减少RDS(ON)并保持令人印象深刻的开关性能。

二极管合并DMN3732UFB4 n通道增强模式MOSFET旨在最小化R(DS(ON))并保持令人印象深刻的开关性能。该MOSFET具有低V(GS(TH))和防静电保护栅极。DMN3732UFB4 MOSFET符合AEC-Q100/101/104/200标准，采用0.4mm超低尺寸封装。这种MOSFET是无铅的，符合RoHS标准，在-55°C至150°C的温度范围内工作。典型的应用包括负载开关、便携式应用和电源管理功能。

特性

0.4mm超低档包装薄应用
0.6mm(2)包装占地面积
低V (g (TH))
低R (DS(上))
防静电栅

AEC-Q100/101/104/200合格
PPAP能力
无铅
通过无铅认证
不含卤素和锑

规范

30V(DSS)漏源极电压
±8V(GSS)门源电压
3A脉冲漏极电流
0.96A最大连续体二极管正向电流
-55℃~ 150℃工作温度范围

包:

X2-DFN1006-3

UL易燃分类等级94V-0
重量:

0.001克

应用程序

负荷开关
便携式应用程序
电源管理功能

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