德州仪器的LMG3522R030 GaN FET具有集成驱动器和保护，针对开关模式功率转换器，使设计人员能够达到功率密度和效率的水平。功率IC集成了一个硅驱动器，使开关速度高达150 V/ns。TI的集成精密栅极偏置与离散硅栅极驱动器相比，可实现更高的开关SOA。这种集成，结合TI的低电感包，在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。

可调的栅极驱动强度允许控制转换速率(20 V/ns至150 V/ns)，这可以主动控制EMI并优化开关性能。先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出来报告，这简化了设备负载的管理。已上报的故障包括过温、过流、UVLO (undervoltage lock-out)监控。