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摘要： 旨在最大限度地减少RDS(ON)并保持令人印象深刻的开关性能。
二极管DMN52D0UV n通道增强模式MOSFET是一种双n通道MOSFET，旨在最大限度地降低R(DS(ON))并保持令人印象深刻的开关性能。该MOSFET具有低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装的特点。DMN52D0UV MOSFET防静电，无铅，符合RoHS标准，无卤素和锑。该MOSFET提供非常低的门阈值电压，并在-55°C至150°C的温度范围内工作。典型的应用包括电池管理系统、电源管理功能和负载开关。
双n沟道MOSFET
低导通电阻
低门限电压(1V max)
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏
超小表面贴装封装
防静电保护
无铅
通过无铅认证
不含卤素和锑
50V(DSS)漏源极电压
±12V(GSS)门源电压
1.2A脉冲漏极电流
480mA最大连续体二极管正向电流
-55℃~ 150℃工作温度范围
包:
SOT563
UL易燃分类等级94V-0
重量:
0.006克
电池管理系统
电源管理功能
负荷开关
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