摘要: 单通道栅极驱动器用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC mosfet和igbt。
德州仪器UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离的、高度可配置的单通道栅极驱动器,旨在驱动EV/HEV应用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。功率晶体管保护,例如基于分流电阻的过流,基于ntc的过温和DESAT检测,在这些故障期间包括可选择的软关断或两级关断。为了进一步减小应用尺寸,德州仪器UCC5871-Q1集成了开关期间的4A有源米勒钳和驱动器无电源时的有源门下拉。集成的10位ADC可监控多达6个模拟输入和门驱动器温度,以增强系统管理。集成了诊断和检测功能,简化了系统设计。这些特性的参数和阈值可以使用SPI接口进行配置,这使得该器件几乎可以与任何SiC MOSFET或IGBT一起使用。
分割输出驱动器提供一个30A的峰值源和30A的峰值汇聚电流
联锁和直通保护,具有150ns(最大)传播延迟和可编程的最小脉冲抑制
主从侧有源短路(ASC)支持
可配置功率晶体管保护
基于desat的短路保护
基于并联电阻的过流和短路保护
基于ntc的过温保护
功率晶体管故障时的可编程软关断(STO)和两级关断(2LTOFF)
综合诊断
保护比较器内置自检(BIST)
IN+到晶体管栅极路径的完整性
功率晶体管阈值监测
内部时钟监控
故障告警(nFLT1)和警告(nFLT2)输出
功能性Safety-Compliant
为功能安全应用而开发
可用的文件,以帮助ISO 26262系统设计到ASIL D
集成4A有源米勒钳或可选的外部驱动器米勒钳晶体管
先进的高压夹紧控制
内外供电欠压、过压保护
主动输出下拉和默认低输出低供应或浮动输入
驱动模具温度感应和过温保护
在VCM = 1000V时,最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为100kV/µs
基于spi的设备重构、校验、监督和诊断
集成10位ADC用于功率晶体管温度,电压和电流监测
HEV和EV牵引逆变器
混合动力和电动汽车电源模块
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