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摘要： 意法半导体M95P16超低功耗16mbit SPI Page EEPROM基于非易失性存储器(NVMe)技术。
意法半导体M95P16超低功耗16mbit SPI Page EEPROM基于非易失性存储器(NVMe)技术。这种EEPROM具有字节灵活性、页面可更改性、高页面循环性能和超低功耗，相当于EEPROM技术。M95P16 EEPROM由4096个可编程页面组成，每个页面512字节，通过SPI总线访问，具有高性能双SPI和四SPI输出。该EEPROM具有超低功耗，ECC高内存可靠性(DEC, TED)，电子识别和施密特触发输入噪声滤波。M95P16 EEPROM支持高达80MHz的时钟频率，1.6V至3.6V的电源电压范围，并且是ECOPACK2 (RoHS兼容)和无卤素。
M95P16 EEPROM提供了两个额外的(识别)512字节页面。第一个包含标识数据，并在请求时包含UID。第二个存储敏感的应用程序参数，这些参数以后可以永久地锁定为只读模式。这个EEPROM接受页/块/扇区/芯片擦除命令来将内存设置为擦除状态。
高内存可靠性的ECC (DEC和TED)
施密特触发输入噪声滤波
输出缓冲器可编程强度
ISO26262的运行状态标志
软件复位
按块写保护，有上/下选项
请求时的唯一ID
电子标识
支持SFDP(串行flash发现参数)模式
JEDEC标准制造商标识
包:
DFN8 2mm x 3mm
SO8N
WLCSP8
ECOPACK2(符合RoHS标准)和无卤素包装:
接口:
50MHz读单输出
80MHz快速读取单/双/四输出与一个哑字节
-40°C至85°C(工业)
-40°C至105°C(扩展)
支持串行外设接口(SPI)和双/四输出
1.6V至3.6V VCC宽电压范围
温度范围:
快速阅读:
记忆:
100年
50万次循环后10年
32kbyte块和4kbyte扇区
512字节页面大小
两个识别页
16mbit的页面EEPROM
500k循环全温度范围写耐力
数据保留:
超低功耗:
0.6μA(典型)深掉电模式
16μA(典型)待机模式
800μA(典型)用于10MHz的读单
1.5mA(典型)用于页面写入
电流峰值控制小于3mA
高写/擦除性能:
2ms(典型)用于512字节的字节和页写入(包括自动擦除和程序)
1.2ms(典型)页程序(512字节)
1.1ms(典型)用于页面擦除
1.3ms(典型)用于扇区擦除
4ms(典型)用于块擦除
8ms(典型)用于芯片擦除
快速写入/编程/擦除时间:
带有缓冲加载的页面程序
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