摘要: Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN晶体管评估板演示了375W分立GaN在SiC hemt上的能力,工作范围从直流到2GHz。
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN晶体管评估板演示了375W分立GaN在SiC hemt上的能力,工作范围从直流到2GHz。QPD1425/QPD1425L GaN射频功率晶体管在高漏极偏置工作条件下提供功率和效率优化。晶体管被安置在一个行业标准的空气腔封装,并支持脉冲和连续波操作。
直流至2GHz频率范围
-40°C至+85°的工作温度范围
RO4350B 0.020 "厚PCB材料
1盎司。顶部/底部PCB层的铜包层
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