罗姆半导体第四代n通道碳化硅功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-04-26

摘要： ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻，改善了短路耐受时间。

ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻，改善了短路耐受时间。第四代碳化硅mosfet易于并联，驱动简单。mosfet具有快速开关速度/反向恢复，低开关损耗和+175°C的最高工作温度。ROHM第四代n通道SSiC功率mosfet支持15V门源电压，有助于节省设备功率。

特性

低导通电阻，提高短路坚固性
最大限度地减少寄生电容开关损失
支持15V门源电压，提高应用设计自由度
切换速度快
快速反向恢复
易于平行
驾驶简单

碳化硅(SiC)技术
n通道晶体管极性
单通道
通孔安装
增强型
最高工作温度+175°C
可用aec - q101合格的选项
无铅，符合RoHS和REACH标准

应用程序

汽车
开关模式电源
太阳能逆变器

直流/直流转换器
感应加热
马达驱动器

规范

3到7个引脚
-4V到+21V门源电压范围，4.8V阈值
63nC至170nC栅极充电范围
26A至105A连续漏极电流范围
13毫欧到62毫欧上漏源电阻
漏源击穿电压
11ns到57ns上升时间
9.6ns至21ns下降时间

典型延迟时间

4.4ns至20ns导通范围
22ns至83ns关断范围

93W ~ 312W功耗范围
可用的包

- 247 - 4 - l
- 247 - n - 3
- 263 - 7 - l

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