Vishay的Gen 3 650 V碳化硅肖特基二极管采用合并PIN肖特基(MPS)设计。它们将高浪涌电流稳健性与低正向压降、电容电荷和反向泄漏电流相结合，以提高开关电源设计的效率和可靠性。这些器件的MPS结构通过激光退火技术使其背面变薄，与上一代解决方案相比，其正向电压降降低了0.3 V。此外，它们的正向压降比电容充电低17%。该二极管的反漏电流在室温下通常比最接近的竞争解决方案低30%，在高温下低70%。这减少了传导损耗，以确保在轻负载和空转时的高系统效率。第三代设备几乎没有回收尾巴，进一步提高了效率。与具有类似击穿电压的硅二极管相比，SiC器件具有更高的导热性，更低的反向电流和更短的反向恢复时间。它们有TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L通孔和D2PAK 2L (TO-263AB 2L)表面贴装封装。