高效谐振反激控制器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-06-14

摘要： PANJIT的谐振反激控制器在封装中集成了高侧650 V/4 a 1.2 欧姆 MOSFET。与传统反激系统中使用的无源缓冲器电路(有损缓冲器)不同，该反激控制器利用有源缓冲器电路(无损缓冲器)更有效地利用反激系统中的额外能量(漏感和杂散元件)(能量回收)。

PANJIT的谐振反激控制器

PANJIT的谐振反激控制器在封装中集成了高侧650 V/4 a 1.2 欧姆 MOSFET。与传统反激系统中使用的无源缓冲器电路(有损缓冲器)不同，该反激控制器利用有源缓冲器电路(无损缓冲器)更有效地利用反激系统中的额外能量(漏感和杂散元件)(能量回收)。

得益于独特的控制策略，两个系统功率开关(高侧MOSFET和低侧MOSFET)几乎总是零电压开关(ZVS)。从而使功率开关的开关损耗最小化，效率最大化。此外，利用SJMOS功率器件和传统反激系统的常用材料，可以轻松实现高效率、高功率密度的反激电源系统。这种谐振反激控制器也可以与GaN或SiC结合使用，以满足更高频率的电力系统设计要求。

特性

高侧MOSFET集成
低侧和高侧开关的ZVS
最佳的效率和功率密度
电源应用从30w到150w以下
适用于GaN或SiC应用
超低空载耗电量:小于30mw

应用程序

USB-C PD充电器
电源适配器
辅助动力

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