摘要: 意法半导体的STGAP2GS和STGAP2GSN是电隔离单通道栅极驱动器,用于SO8封装的增强型GaN功率晶体管。
意法半导体的STGAP2GS和STGAP2GSN是电隔离的单通道栅极驱动器,适用于SO8宽封装和SO8标准封装的增强型GaN功率晶体管,利用最新的电隔离技术,在小占地面积上为GaN提供合适的隔离驱动器。栅极驱动器的特点是具有2 a源和3 a汇聚和轨对轨输出的电流能力,使该器件适用于工业应用中的功率转换和电机驱动逆变器等中大功率应用。
在整个温度范围内,dV/dt瞬态抗扰度为±100 V/ns,确保了对电压瞬态的出色鲁棒性。该器件有单独的接收器和源配置选项,易于栅极驱动,以优化使用独立电阻的独立导通和关断。
该器件集成了保护功能,包括热关闭,当结温达到设定阈值时将驱动器输出降低,以及具有优化水平的UVLO,用于增强型GaN场效应管,可轻松设计高效率和可靠的系统。双输入引脚允许选择信号极性控制和实现HW联锁保护,以避免交叉传导。
输入到输出传播延迟在45ns以内,提供高PWM控制精度。支持待机模式,降低闲置功耗。CMOS/TTL兼容逻辑输入低至3.3 V,确保与微控制器和DSP外设直接接口。
高达15v栅极驱动电压
驱动电流能力2 A/3 A源/汇
dV/dt暂态抗扰度±100 V/ns
45ns传播延迟
分离的汇/源选项,方便栅极驱动调谐
3.3 V/ 5v逻辑输入
针对GaN优化的UVLO功能
热停机保护
备用功能
宽体SO-8W封装和窄体SO8封装
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