本应用说明描述了在亮灯期间增加CCFL控制器工作频率的需要。本文还概述了一种经过验证的方法，使用DS3881和DS3882 CCFL控制器来实现频率提升。

在灯击期间需要一个频率提升

在低温下，冷阴极荧光灯(ccfl)需要更高的冲击电压。在低温下，初始启动(即打开)灯所需的电压显著升高。有关此要求的更多详细信息，请参阅应用说明3528，“CCFL特性”。

几个CCFL逆变器系统设计准则直接影响冲击电压水平:

• 直流电源电压

• 变压器匝数比

• 高压变压器引线上的电容量

• 工作频率

调整这些参数并不总是那么简单。在大多数应用中，直流电源电压是一个固定的约束，不能改变。设置变压器匝比，优化效率和灯管电流波形;改变回合比率可能会产生负面影响。电容的大小可以影响效率，并且由于电容的一部分是由杂散电容引起的，因此电容本身有些变化。上述四个参数中最容易改变的是工作频率。

在某些应用中，EMI或效率问题可能要求灯的工作频率尽可能低。通常，最低可能的工作频率是由点亮的灯的稳定性决定的，通常在40kHz到50kHz范围内。

在灯被点燃之前，它大多是电容的。系统的谐振频率也高于点亮灯时的谐振频率。因此，在点亮灯的过程中，通过提高工作频率可以获得更高的点亮电压。

例如，图1和图2显示了特定系统的最大灯击电压。在该系统中，在50kHz时产生的最大冲击电压约为1100V(RMS)。如果将打击频率提高到66kHz，则产生的最大打击电压约为1600V(RMS)。必须注意不要将打击频率增加得太高，否则工作点将超过谐振频率，由此产生的打击电压将开始下降。

执行打击频率提升

DS3881和DS3882 CCFL控制器采用少量外部元件，可以提高灯击时的工作频率，从而提高灯击电压水平。这些控制器可以使用微控制器(软件控制)或不使用微控制器(硬件控制)。图3和4勾勒出实现打击频率提升所需的额外组件。

在DS3881和DS3882上，灯的驱动频率由连接在LOSC引脚和地之间的外部电阻(图3和图4中的R1)的值决定。灯的频率由下式设定:

灯频(灯运行)= 1.6E6/R1

图3和图4概述了在灯击时增加灯频所需的外部电路。通过在灯击时增加一个并联电阻R2，灯频按下式增加:

灯频(灯行)= 1.6E6/[(R1×R2)/(R1+R2)]

在图3中，外部微控制器将在打击过程中开启n沟道MOSFET。在这种情况下，微控制器可以使用DS3881/DS3882的内部状态寄存器来确定灯何时被击中，然后禁用MOSFET以使系统以较低的频率运行。

在图4中，假设在DS3881和DS3882加5V时，在上电期间发生灯击。外部电路使用5V电源给RC定时器充电，这将在灯不工作期间的短时间内增加工作频率。

在这两种控制方案中，打击过程的确切时间并不重要。DS3881和DS3882 CCFL控制器被指定在40kHz到100kHz范围内工作。因此，增加打击电压总是安全的，因为控制器将最大输出电压限制在安全工作点。只要打击频率小于100kHz，系统就可以在返回标称灯运行频率之前无任何顾虑地运行数秒。

应用实例

图1和图2所示的具有灯击电压的系统将被用作一个应用示例。标称灯运行频率为50kHz，较高的打击频率为66kHz。

首先需要计算R1和R2的值，公式如下:

R1 = 1.6E6/50kHz = 32k欧姆
(R1xR2)/(R1+R2) = 1.6E6/66kHz;代入R1得到R2 = 100k欧姆

DS3881和DS3882上的LSYNC引脚可用于确定CCFL控制器的工作频率。图5显示了启用R2时频率的上升。控制器达到高打击频率的时间不超过200µs。在本应用示例中，执行时间设置为约600ms。从图6中可以看出，600ms后控制器仍然以较高的66kHz频率工作，但在610ms后返回到标称的50kHz灯运行频率。