DC-DC开关电源解决方案使用MAX1957产生DDR-SDRAM终端电压

来源：analog 发布时间：2023-12-18

摘要： 双数据速率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM)近年来得到了广泛的应用。DDR存储器需要主动终止，V(TT)，跟踪主存储器电压V(DDQ)。本应用说明提供了一个开关稳压器解决方案，使用MAX1957脉宽调制(PWM)降压控制器为V(TT)终端提供(1/2)跟踪输出。

双数据速率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM)近年来得到了广泛的应用。DDR存储器需要主动终止，V(TT)，跟踪主存储器电压V(DDQ)。本应用说明提供了一个开关稳压器解决方案，使用MAX1957脉宽调制(PWM)降压控制器为V(TT)终端提供(1/2)跟踪输出。

双数据速率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM)越来越受欢迎，因为在相同的时钟速度下，它可以提供两倍的数据速率和更低的功耗。这些优势带来了更复杂的终端电压要求。

DDR终端电源V(TT)现在必须能够产生和下沉电流。V(TT)必须跟踪(1/2)V(DDQ)，输出电源电压(目前V(DDQ)为2.5V，精度为±3%)。输入接收器现在是差分级，需要参考偏置V(TTR)，它必须跟踪终端电压V(TT)到±40mV(参考JDEC标准JDSD79和JDSD8-9)。

图1是DDR_SDRAM单端系统中典型的输出缓冲器和输入接收器级，具有2.5V (SSTL-2)串联存根终止逻辑。对于双终端，在长总线的情况下使用，两个RTs在总线的每一端终止。

图1所示。单端SSTL-2 DDR_SDRAM系统。

MAX1957电路图2为DDR_SDRAM提供V(TT)和V(TTR)。MAX1957有一个参考输入(REFIN)，连接到内部误差放大器的非反相输入，以调节输出V(TT)到与REFIN相同的电压。为了使V(TT)和V(TTR)跟踪1 / 2v (DDQ)， REFIN由V(DDQ)的电阻分压器(R1和R2)开发。电容C6是一个去耦滤波器。MAX1957作为恒频PWM工作，这样V(TT)可以根据DDR-SDRAM的要求输入和接收电流。图2中使用的组件提供超过3安培的源和接收能力，这是128Mb内存系统的最大要求。

图2。MAX1957的典型应用电路为V(TT)和V(TTR)。

表1。MAX1957典型应用电路元件列表

组件	数量	描述
C1	1	Cap. 10µF/6.3V X5R陶瓷。尤登太佑:JMK212BJ106MG
C2	1	Cap. 4.7µF/6.3V X5R陶瓷。太阳诱电:JMK212BJ475MG
C3	3.	帽。22µF / 6.3 v
C4、C5	2	Cap. 0.1µF/50V X7R陶瓷。 Taiyo Yuden UMK107BJ104KA
C6	1	Cap. 1500pF/50V X7R陶瓷。日本村田公司GRM89X7R152K50
C7 c8 c9	3.	Cap. 270µF/2V SP电容器松下EEFUE0D271R
10大	1	第470pF/50V X7R陶瓷。村田:GRM89X7R471K50
C11	1	68pF/50V X7R陶瓷。村田:GRM39COG680J50
D1	1	肖特基二极管，30V, 100mA, SOT-23。中央:CMPSH-3
集成电路	1	IC，同步降压控制器:MAX1957
L1	1	电感，2.7µH, 6.6A。 Coilcraft: do3316p - 272 hc
R1, R2	2	电阻，0805,1K, 1%
R3	1	电阻51K, 0805, 5%
R4	1	电阻10K, 0805, 5%
Q1/2	1	晶体管，双MOSFET Fairchild FDS6890A 20V, 0.018欧姆