LTC1709-8 / LTC1709-9是双电流模式多相 控制器，可驱动两个同步降压级失相。这种结构在不增加开关频率的情况下减少了输入和输出电容的数量。相对较低的开关频率和集成的大电流MOSFET驱动器有助于为低电压，大电流应用提供高功率转换效率。由于输出纹波电流抵消，可以使用较低值的电感器，从而产生更快的负载瞬态响应。加上5位VID表，使得这些设备对CPU电源应用特别有吸引力。VRM有2个VID表，分别满足VRM 8.4 (LTC1709-8)和VRM9.0 (LTC1709-9)规格。

设计实例

图1显示了AMD Athlon微处理器的42A电源示意图。在5V输入和1.6V/42A输出的情况下，仅使用一个IC、8个微型SO-8 mosfet和两个1µH的低外形表面贴装电感，效率可达86%。在3A-42A的整个负载范围内，效率均能保持在85%以上，如图2所示。由于输入电压低，底部mosfet体二极管的反向恢复损耗不显著。在这种应用中，不需要与底部mosfet并联的肖特基二极管。

表1比较了单相和两相配置的输入和输出纹波电流。与单相设计相比，两相变换器可将输入纹波电流降低50%，输出纹波电流降低75%。输入和输出电容器的成本和尺寸的减少是显著的。

图3显示了实测负载的瞬态波形。负载电流在2A和42A之间变化，转换速率约为30A/µs。输出电容的类型和尺寸要求主要取决于输出电容网络的总ESR。输出端需要六个低成本铝电解帽(Rubycon, 1500µF/6.3V)来满足这一要求。负载瞬态时的最大输出电压变化小于200mV(P-P)。本设计采用有源电压定位，使输出电容的数量保持在6个(有关有源电压定位的详细信息，请参阅线性技术设计方案10)。R4和R6在不损失效率的情况下提供输出电压定位。如果使用OSCON电容，4个1200µF/2.5V (2R51200M)电容就足够了。

结论

上述基于LTC1709的低电压、大电流电源实现了高效率和小体积的同时实现。输入和输出电容器、电感器和散热器的节省有助于最大限度地降低整体电源的成本。这个LTC1709电路经过一些修改，也适用于VRM9.0应用。有关多相技术的更多信息，请参阅线性技术应用说明77。