NVSRAMs

Dallas Semiconductor nvsram(图1)具有内部锂电源和独立的控制电路，可以持续监控V(CC)是否超出容差条件。此时，锂电池自动闭合，并无条件开启写保护，防止数据损坏。可以执行的写周期的数量没有限制，并且微处理器接口不需要额外的支持电路。Dallas nvsram还可以可靠地存储长达10年的数据，仅靠电池供电。当V(CC)供电时，数据至少可以存储100年。DIP封装器件可用于取代现有的静态ram，直接符合流行的字节范围28或32引脚DIP标准。表面贴装部件也可用。

NOVRAMs

novram(图2)没有内部电池;相反，它们有存储数据的内部EEPROM。数据通过包含存储和检索命令的自定义固件传输到EEPROM和从EEPROM传输。这些命令可以是自动的，也可以通过硬件或软件启动。

nvsram和novram的区别

nvsram和novram之间有许多不同之处。为简单起见，我们将这些差异分为以下几类:写周期、存储和检索数据的时间、易用性和标准引脚输出。

写周期

电池支持的nvsram可以无限次写入。当使用novram时，写周期是有限的。EEPROM通常只能写入1,000,000次才会磨损。

存储和检索数据的时间

使用Dallas NVSRAM，用户不必担心存储或检索数据。数据自动存储和调用。在断电情况下，Dallas NVSRAM存储数据的时间为1.5µs，而novram为10ms。要在EEPROM中存储或检索数据，用户必须使用软件命令或切换引脚。为了存储数据，必须完成多个地址读序列。novram需要20µs和几个地址读取序列来检索存储在EEPROM中的数据。NOVRAM不能读取或写入，而存储或检索数据到或从EEPROM。

易用性

Dallas nvsram使用起来更方便，因为它们不需要任何额外的组件。novram需要一个额外的电容来为EEPROM提供电源。还建议在芯片使能或写使能引脚和V(CC)之间设置一个电阻，以避免数据损坏。

除了额外的组件，novram还需要自定义固件来存储和召回EEPROM中的数据。另一方面，Dallas nvsram不需要额外的固件来处理保存和/或检索数据。

标准线图

所有Dallas nvsram都是JEDEC兼容的。novram有额外的引脚，使该部件与JEDEC标准SRAM和NVSRAM插座不兼容。额外的引脚用于存储和召回操作。在某些设备上，芯片选择引脚被存储/召回启用引脚取代。

结论

与novram相比，使用nvsram的优点是nvsram可以快速存储数据，不需要定制固件，写入周期无限制，不需要额外的组件，并且引脚与jedec兼容。为您的应用程序选择达拉斯半导体NVSRAM的帮助，请联系技术支持。