图1所示电路用一个内置MOSFET开关管的DC-DC转换器将12V电压转变成-12V电压，输出电流可达200mA。该IC由于采用CMOS工艺，具有高效率、低静态电流(最大120µA)的特点，但也将输入至输出间的最高电压限制在21V。因此，为避免24V电压加至端点间，该IC必须与电感回扫电压隔离开，为此，既可以采用非自举方式驱动外部开关，也可以用回扫变压器方式驱动内部开关。

图1. 自耦变压器T1限制通过IC1的电压，允许在该反相DC-DC转换器中使用高效芯片(最大绝对电压为21V)

自耦变压器T1 (匝数比为1:1的中心抽头电感)给出了一个替代设计方案，在图示电路中，LX回扫至1/2V(OUT)，加上二极管压降，约为-6V。V+保持在12V，这样在V+和LX端产生最大18V电压，在21V的极限值以内。

由于IC1在V+与OUT电压之间驱动内部MOSFET栅极，所以，通常需将OUT连接到V(OUT)上，以确保有效的栅极驱动(一个典型的应用是，芯片将5V电压转换成-5V电压)。在本电路中，12V输入提供了足够的栅极驱动，所以OUT可与地相连。