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雪崩光电二极管监测电路将电流限制到1mA,有效改善瞬态响应

来源:analog 发布时间:2023-08-22

摘要: 新型高速雪崩光电二极管(APD)检测器需要新型低限流辅助电路。本篇应用笔记采用数控APD偏置电源IC—MAX1932设计改进的新型APD检测器偏置电路。该电路在标准MAX1932应用电路的基础上改善了性能。 设计APD检测器的低偏置电流电路

图1所示为采用  MAX1932  如何设计高速APD检测器的低偏置电流电源IC。该电路通过电容(CA)和电阻(RA)将超前相移注入反馈回路,使之具有比标准MAX1932应用电路更优异的瞬态响应。超前相移还有助于抵消由R1和C3输出滤波器所产生的相位滞后。限流故障消失后,二极管DA和电阻RB使占空比进入软启动,有助于改善器件从限流故障中恢复的过程。电流检测电阻R1的前端放置一个泄漏电阻(RA),以提高电流检测的精度。

电路还给出了外部电压控制(V(CONTROL))。若要采用MAX1932的内部DAC和SPI 串行控制接口实现内部控制,应将R6连接到DACOUT (U1引脚6)。


图1. 增强型MAX1932偏置电路,具有较好的限流特性和瞬态响应。增加的DA和RB可改善从限流状态中恢复的过程,增加的CA和RA则可改善瞬态响应

表1. 本应用笔记中MAX1932电路的元件清单(3V至5V输入,5V至45V输出)

DESIGNATIONQTYDESCRIPTION
C111.0µF, 6.3V X5R ceramic cap. (0603) TDK (C2012X7R2A473K)
CA1150pF 100V COG ceramic cap. (0805) Panasonic (ECJ-2VC2A151J)
C210.047µF, 100V X7R ceramic cap. (0805) TDK (C2012XR2A473K)
C310.1µF, 100V X7R ceramic cap. (1206) TDK (C3216X7R2A104K)
C5 (optional)10.1µF, 16V X7R ceramic cap. (0603) Taiyo Yuden (C1608X7R1C104K)
C410.47µF, 16V X7R (0603) Panasonic (ECJ-1VB1E473K)
D11150mA, 100V Schottky diode (SOD123) Diodes Inc. BAT56W
DA130V Schottky diode Central Semi CMPSH-3
N1130V, 0.065欧姆 n-channel (SOT-23) Fairchild (FDN337N)
RB1100欧姆, 1% resistor (0402)
R111.82k欧姆, 1% resistor (0605)
RA18.25k欧姆, 1% resistor (0402)
R6124.9k欧姆, 1% resistor (0402)
R7180.6k欧姆, 5% resistor (0402)
RC140.2k欧姆, 1% resistor (0805)
R81332k欧姆, 1% resistor (0402)
R51866k欧姆, 1% resistor (0805)
R3, R9, R1031.0毫欧, 5% resistor (0402)
L11100µH, 170mA inductor Sumida (CMD4D13-101MC)
U11Digitally controlled, 0.5% accurate, safest APD bias supply Maxim MAX1932ETC (12-Pin Thin QFN)


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