DS1213 SmartSocket产品的使用寿命已经结束，可以使用引脚兼容的等效密度5V NV SRAM模块产品进行替换。使用该替换模块产品，客户将安装一个完整的、一体式内存解决方案，保证提供至少10年的数据保留寿命。替换产品可以轻松地将同等基于smartsocket的配置的使用寿命延长一倍。

替代的决定

随着任何密度的PDIP sram产量的减少，确定替代产品的决定可能会因采购问题而加速，以找到兼容的存储芯片。ds12xx系列NV SRAM模块包括一个非常低功耗的SRAM组件，消除了过去双组件采购的要求。这些模块的“AB”版本允许±5%的工作电源容差，这与以前配备ds1213的安装的电气特性相匹配。

在现有的应用中，DS1213 SmartSocket和客户采购的某些版本的SRAM提供了在没有外部电源的情况下用于数据存储的非易失性存储器阵列。SRAM规范将是一个很好的参考，用于确定两个替换标准，这些标准将决定购买哪个速度等级的模块:内存密度和基于内存性能的信息。

客户应该首先研究当前安装的内存配置，然后参考表1寻找合适的替换组件。

从SRAM标记和/或规格来看，应该有一些指示该存储器的功能性读访问时间。该参数通常由零件号的数字扩展来指定;它标注了可以从组件中读取数据的最大时间(以纳秒为单位)(例如:-55、-70、-100、-120等)。有些厂家会在其品牌信息上截断速度等级信息，因此电气规范将是最全面的参考文件。

DS1213 SmartSockets从出厂设置为5V±5%的电源公差，导致写保护低于4.75V。DS12xx-系列NV SRAM模块的等效电源容限后缀为AB，如表1所示。在一些罕见的应用中，DS1213 SmartSocket可能已被修改为使用5V±10%的公差。在这些应用程序中，替换零件号将是带有“AD”后缀的相同DS12xx零件号。

DS1213 SmartSockets的额定工作温度为0°C至+70°C，与DS12xx系列商业温度产品相匹配。如果需要工业温度范围(-40°C至+85°C)，则指定为“IND”的模块产品也可用于任何NV SRAM内存密度。请参考特定模块产品的订购信息。

DS1213 SmartSockets采用锡铅(SnPb 63/37)焊料制造，以连接内部组件。如果需要，无铅(100%哑光锡)模块产品，由加号(+)指定，也可在任何存储密度。请参考特定模块产品的订购信息。

由于内部电池，DS1213 SmartSockets和任何列出的DS12xx系列NV SRAM模块都不能容忍对流回流焊。建议使用波峰焊或手工焊接。

具有16kb SRAM的DS1213B的注意事项

DS1213B智能插座有28个引脚，但DS1220内存组件只有24个引脚。PCB修改是必要的:跳线V(CC)从走线28到走线26;然后隔离追踪26。然后通过将新组件调整到插座的底部(接地)端来安装DS1220模块。从单板上拔出SmartSocket后，需要对单板进行必要的修改。然后将DS1220AB安装到底部(接地)端，就像SRAM先前定位在插座中一样。DS1220AB元件引脚1应与先前与SmartSocket引脚3相关联的PCB走线对齐，如图1所示。

与SmartSocket引脚1、2、27和28对齐的原始PCB走线将不使用。

还有一种方法可以替代此板的修改:安装DS1225AB内存模块。该系统将只使用四分之一的内存阵列，但变化不那么复杂。

具有256kb SRAM的DS1213D的注意事项

DS1213D智能插座有32个引脚，但DS1230内存组件只有28个引脚。PCB修改是必要的:跳线V(CC)从走线32到走线30;并隔离痕迹30。然后通过将新组件调整到插座的底部(接地)端来安装DS1230模块。从单板上拔出SmartSocket后，需要对单板进行必要的修改。然后将DS1230AB安装到底部(接地)端，就像SRAM先前定位在插座中一样。DS1230AB元件引脚1应与先前与SmartSocket引脚3相关联的PCB走线对齐，如图2所示。

对准SmartSocket引脚1、2、31和32的原始PCB走线将不使用。

还有一种方法可以替代此板的修改:安装DS1245AB内存模块。该系统将只使用四分之一的内存阵列，但变化不那么复杂。