双数据速率(DDR)同步DRAM (SDRAM)用于工作站和服务器的高速存储系统。这些内存ic使用2.5V或1.8V电源电压。它们需要的参考电压等于电源电压的一半(V(REF) = V(DD)/2)。它们的逻辑输出端接一个电阻到终端电压(V(TT))，它等于并跟踪V(REF)。V(TT)必须输入或吸收电流，同时保持V(TT) = V(REF)±0.04V。

图1的电路为2.5V和1.8V存储系统提供终端电压，输出高达6A。U1包括一个降压控制器和两个线性调节器控制器，并在4.5V至28V的输入电压下工作。其固定的200kHz PWM控制器通过输入和下沉电流来维持输出电压。最大吸收电流等于最大源电流，但吸收电流没有电流限制。当吸收电流时，器件返回一些电流给输入电源。

为了实现跟踪功能，U1的一个额外线性调节器控制器被配置为反相放大器。该放大器将V(DD)/2(由R11和R12创建)与来自U1的V(REF)进行比较，并产生一个通过R6应用于U1的FB引脚的错误信号，从而迫使V(OUT)跟踪V(DD)/2。需要10mA负载(R10)来偏置反相放大器以实现准确跟踪。V(OUT)可以在1V ~ 4V范围内跟踪V(DD)/2。