2700: 4096k非易失SRAM，带有电池监测器 Data Sheet

来源：analog 发布时间：2023-12-04

摘要： DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V(CC)是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1350器件具有监视V(CC)状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。 .

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