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4472: 单芯片、1M非易失SRAM Data Sheet

来源:analog 发布时间:2023-12-04

摘要: DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BGA封装。模块V(CC)上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,SRAM内容可修改。V(CC)断电或超出容限时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2045有两种版本,分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2045还具有一个电源监控输出,/RST指示,可用作微处理器的CPU监视器。 .

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