摘要: MCC的TOLL mosfet覆盖40 V至150 V的电压范围,满足不同的工业需求。
MCC的TO-leadless (TOLL)封装提高了n沟道mosfet的大功率性能。MCC提供四种TOLL mosfet,经过智能设计,可满足工业应用的苛刻要求。这些mosfet具有卓越的功率密度和卓越的EMI性能,比传统的D-PAK-7引脚选项小30%。它们具有增强的功能和节省成本的优势,消除了设计限制,最大限度地提高了操作效率。利用分栅沟槽(SGT)技术,MCC的先进组件覆盖40 V至150 V的电压范围,满足各种工业需求。
SGT技术
高密度电池设计
低R (DS(上))
优化效率
高功率密度
大电流能力
低寄生和封装电感
高可靠性
紧凑的设计
降低系统成本
切换速度快
温度稳定性
高栅极电压
鲁棒性
减少对并行的需求
增加设计机会
无缝替换其他包
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