STPOWER MOSFET MDmesh M9系列的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-07-26

摘要： 意法半导体的n沟道功率MOSFET基于超结MDmesh M9技术，适用于中/高压MOSFET。

意法半导体的n沟道功率MOSFET

意法半导体的n沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于每面积R(DS(on))极低的中/高压MOSFET。硅基M9技术得益于多漏制造工艺，从而增强了器件结构。由此产生的产品在所有硅基快速开关超结功率mosfet中具有较低的导通电阻和较低的栅极电荷值，使其特别适合需要卓越功率密度和卓越效率的应用。

特性

在硅基器件中具有优异的R(DS(ON)) per area
更高V(DSS)额定值
更高的dv/dt能力
优异的开关性能
易于驾驶
100%雪崩测试

应用程序

电信服务器和数据中心
工业固态继电器
快速充电器
电信电力SMPS
x光机

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